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BF840	文件：273.3 Kbytes Page：7 Pages	NPNmediumfrequencytransistor FEATURES •Lowcurrent(max.25mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •AMmixers •IFamplifiersinAM/FMreceivers. DESCRIPTION NPNmediumfrequencytransistorinaSOT23plasticpackage.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BFP840ESD	文件：1.41685 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP840FESD	文件：1.48023 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BLV840	文件：387.83 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd	ESTEK
BRB840	文件：711.7 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRD840	文件：714.3 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BSD840N	文件：442.31 Kbytes Page：9 Pages	DualN-channel	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSD840N	文件：232.04 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
C840	文件：436.98 Kbytes Page：16 Pages	PTCthermistorsforovercurrentprotection	EPCOSEPCOS - TDK Electronics 爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部	EPCOS
CAPA840	文件：325.45 Kbytes Page：1 Pages	2DDR3LSO-DIMMsupportsupto8GBmemorycapacity	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯股份有限公司	AXIOMTEK
CBP-840C	文件：431.64 Kbytes Page：3 Pages	BandpassFilter	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
CBP-840C+	文件：431.64 Kbytes Page：3 Pages	BandpassFilter	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
CD840ZQ	文件：643.99 Kbytes Page：8 Pages	10000hat85째C	JIANGHAIJianghai Europe GmbH 江海欧洲江海欧洲有限公司	JIANGHAI
CDBC840-HF	文件：461.87 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers Features -Built-instrainrelief. -Highsurgeandcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertorsfree -wheelingandpolarityprotection. -Metalsiliconjunctionwithguarding. -8.0Arectificationinsmallpackage.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBG840-G	文件：61.59 Kbytes Page：2 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode ReverseVoltage:20~60Volts ForwardCurrent:8A Features: •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenviromentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lo	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CEB840A	文件：583.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB840A	文件：440.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB840B	文件：605.09 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB840G	文件：650.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB840G	文件：403.73 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET

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更多FDR840P-NL供应商更新时间2024-5-25 11:06:00

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