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FDP6676S	文件：116.99 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET? GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP/B6676SincludesanintegratedSchottky	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6676S	文件：332.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDS6676	文件：99.8 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6676	文件：480.03 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features •IncludesSyncFETSchottkybodydiode •Lowgatecharge(45nCtypical) •Highperformancetrenchtechnologyfor extremelylowRDS(ON)andfastswitching •Highpowerandcurrenthandlingcapability RoHSCompliant (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=13A RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
FDS6676AS	文件：480.03 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features •IncludesSyncFETSchottkybodydiode •Lowgatecharge(45nCtypical) •Highperformancetrenchtechnologyfor extremelylowRDS(ON)andfastswitching •Highpowerandcurrenthandlingcapability RoHSCompliant (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=13A RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
FDS6676AS	文件：542.88 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDS6676ASisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6676ASincludesanintegratedSchottkydiod	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FDS6676S	文件：121.8 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDS6676SisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6676SincludesanintegratedSchottkydiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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PTC6676P	文件：344.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
STRF6676	文件：282.39 Kbytes Page：16 Pages	OFF-LINEQUASI-RESONANTFLYBACKSWITCHINGREGULATORS TheSeriesSTR-F6600isspecificallydesignedtosatisfytherequirementsforincreasedintegrationandreliabilityinoff-linequasi-resonantflybackconverters.Theseriesincorporatesaprimarycontrolanddrivecircuitwithdiscreteavalanche-ratedpowerMOSFETs.Coveringthepowerrangefrom	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
STR-F6676	文件：282.39 Kbytes Page：16 Pages	OFF-LINEQUASI-RESONANTFLYBACKSWITCHINGREGULATORS TheSeriesSTR-F6600isspecificallydesignedtosatisfytherequirementsforincreasedintegrationandreliabilityinoff-linequasi-resonantflybackconverters.Theseriesincorporatesaprimarycontrolanddrivecircuitwithdiscreteavalanche-ratedpowerMOSFETs.Coveringthepowerrangefrom	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
STR-F6676	文件：281.77 Kbytes Page：16 Pages	OFF-LINEQUASI-RESONANTFLYBACKSWITCHINGREGULATORS TheSeriesSTR-F6600isspecificallydesignedtosatisfytherequirementsforincreasedintegrationandreliabilityinoff-linequasi-resonantflybackconverters.Theseriesincorporatesaprimarycontrolanddrivecircuitwithdiscreteavalanche-ratedpowerMOSFETs.Coveringthepowerrangefrom	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro

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更多FDP6676MOS(场效应管)供应商更新时间2024-9-24 15:43:00

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