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FDS8433A

Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET

General Description This P-Channel enhancement mode power field effect transistors is produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density processis especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. Featu

文件:196.01 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS8433A

Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET

文件:84.29 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS8433A_00

Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET

文件:84.29 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS8433A

单 P 沟道,2.5V 指定,MOSFET,-20V,-5A,47mΩ

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 •-5 A,-20 V\n•RDS(on) = 0.047 Ω @ VGS = -4.5 V\n•RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 V\n•快速开关速度\n•高密度设计可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    -1

  • ID Max (A):

    -5

  • PD Max (W):

    2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    70

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    47

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    20

  • Ciss Typ (pF):

    1130

  • Package Type:

    SOIC-8

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更多FDS8433A供应商 更新时间2026-4-18 10:32:00