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FDS6676AS	文件：480.03 Kbytes Page：8 Pages	30V N-Channel MOSFET Features •IncludesSyncFETSchottkybodydiode •Lowgatecharge(45nCtypical) •Highperformancetrenchtechnologyfor extremelylowRDS(ON)andfastswitching •Highpowerandcurrenthandlingcapability RoHSCompliant (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=13A RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体
FDS6676AS	文件：542.88 Kbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench SyncFET GeneralDescription TheFDS6676ASisdesignedtoreplaceasingleSO-8MOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDS6676ASincludesanintegratedSchottkydiod	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6676AS	文件：1.21528 Mbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench짰 SyncFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6676AS_0511	文件：1.21528 Mbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench짰 SyncFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6676AS_08	文件：846.5 Kbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench짰 SyncFET?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS6676AS_NL	文件：1.21528 Mbytes Page：8 Pages	30V N-Channel PowerTrench짰 SyncFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
AD6676	文件：1.9312 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD6676	文件：2.23305 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD6676BCBZRL	文件：2.23305 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD6676BCBZRL	文件：1.9312 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD6676EBZ	文件：1.9312 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD6676EBZ	文件：2.23305 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
CD6676	文件：76.46 Kbytes Page：2 Pages	SILICONDIOXIDEPASSIVATED •IN6677AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/610 •0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERCHIPS •SILICONDIOXIDEPASSIVATED •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,WITHTHEEXCEPTIONOFSOLDERREFLOW	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
CDLL6676	文件：69.7 Kbytes Page：2 Pages	0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N6677UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/610 •0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
CDLL6676	文件：51.88 Kbytes Page：2 Pages	0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N6677UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/610 •0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
FDB6676	文件：82.16 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedfor“lowside”synchronousrectifieroperation,providinganextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB6676S	文件：116.99 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET? GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP/B6676SincludesanintegratedSchottky	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD6676	文件：85.88 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed.extremelylowRDS(ON	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD6676	文件：331.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=78A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD6676A	文件：120.31 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDD6676ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6676ASincludesapatentedcombinationofaMOS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
FDS6676AS
功能描述：
MOSFET 30V NCH POWER TRENCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDS6676AS供应商更新时间2024-4-28 16:36:00

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