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FDI036N10A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FDP036N10A

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,214A,3.6m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDP036N10A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=214A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多FDP036N10A功率三极管供应商 更新时间2024-6-12 10:59:00