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FDI036N10A	文件：366.53 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：366.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDP036N10A	文件：332.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID = 214A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.6mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：332.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDP036N10A	文件：253.62 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 214A, 3.6m廓文件：253.62 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
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FDLL4448	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美

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更多FDI036N10A供应商更新时间2026-1-31 8:01:00