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FDMS86540中文资料N 沟道,Power Trench® MOSFET,60V,129A,3.4mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86540

功能描述

N 沟道,Power Trench® MOSFET,60V,129A,3.4mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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FDMS86540规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 它为实现低栅极电荷、低RDS(on)、高速开关和体二极管反向恢复性能而优化。

特性 Features

• Max rDS(on) = 3.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 20 A
• Max rDS(on) = 4.1 mΩ at VGS = 8 V, ID = 18.5 A
• Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
• Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
• MSL1 robust package design
• 100% UIL tested
• RoHS Compliant

应用 Application

• AC-DC商用电源
• Primary Switch in insolated DC-DC
• Synchronous Rectifier
• Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86540

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :129

  • PD Max (W)

    :96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :53

  • Ciss Typ (pF)

    :4837

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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