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FDMS86520L中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,22A,8.2mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86520L

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,22A,8.2mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-3-9 23:00:00

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FDMS86520L规格书详情

描述 Description

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

•VGS = 2 V且ID = 13.5 A时,最大rDS(on) = 8.2 mΩ
•VGS = 4.5 V且ID = 11.5 A时,最大rDS(on) = 11.7 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• DC-DC商用电源
• Primary Switch in insolated DC-DC
• Synchronous Rectifier
• Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86520L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :22

  • PD Max (W)

    :69

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :11.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :8.2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21

  • Ciss Typ (pF)

    :3470

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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