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FDMS86520中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,42A,7.4mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86520

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,42A,7.4mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 23:38:00

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FDMS86520规格书详情

描述 Description

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

• Max rDS(on) = 7.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14 A
• Max rDS(on) = 10.3 mΩ at VGS = 8 V, ID = 12.5 A
• Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
• Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
• MSL1 robust package design
• 100% UIL tested
• RoHS Compliant

应用 Application

• AC-DC商用电源
• Primary DC-DC Switch
• Motor Bridge Switch
• Synchronous Rectifier

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86520

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :42

  • PD Max (W)

    :69

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :7.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :23

  • Ciss Typ (pF)

    :9420

  • Package Type

    :PQFN-8

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