N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 42 A, 7.4 m廓

文件：258.95 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，42A，7.4mΩ

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 • Max rDS(on) = 7.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14 A\n• Max rDS(on) = 10.3 mΩ at VGS = 8 V, ID = 12.5 A\n• Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency\n• Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery\n• MSL1 robust package design\n• 100%;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 22 A, 8.2 m廓

文件：269.94 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，22A，8.2mΩ

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。 •VGS = 2 V且ID = 13.5 A时，最大rDS(on) = 8.2 mΩ \n•VGS = 4.5 V且ID = 11.5 A时，最大rDS(on) = 11.7 mΩ \n•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体