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FDMS86500DC中文资料N 沟道,双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET,60V,108A,2.3mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86500DC

功能描述

N 沟道,双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET,60V,108A,2.3mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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FDMS86500DC规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产。 先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性 Features

• Dual Cool™ Top Side Cooling PQFN package
• Max rDS(on) = 2.3 mΩ at VGS(on) = 10 V, ID = 29 A
• Max rDS(on) = 3.3 mΩ at VGS(on) = 8 V, ID = 24 A
• High performance technology for extremely low rDS(on)
• 100% UIL Tested
• RoHS Compliant

应用 Application

• AC-DC商用电源
• Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
• Telecom Secondary Side Rectification
• High End Server/Workstation Vcore Low Side

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86500DC

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :108

  • PD Max (W)

    :125

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :62

  • Ciss Typ (pF)

    :5775

  • Package Type

    :DFN-8

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