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FDMS86350ET80中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,198A,2.4mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86350ET80

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,198A,2.4mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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FDMS86350ET80规格书详情

描述 Description

这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench® 工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

特性 Features

• 扩展额定 TJ 至 175°C
• 最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ(VGS = 10 V、ID = 25 A)
• 最大值 rDS(on) = 3.2 mΩ(VGS = 8 V、ID = 22 A)
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
• MSL1 耐用封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准\"

应用 Application

• Primary MOSFET
• Synchronous Rectifier
• Load Switch
• Motor Control Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86350ET80

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :198

  • PD Max (W)

    :187

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :90

  • Ciss Typ (pF)

    :8030

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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