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FDMS86350ET80

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,198A,2.4mΩ

这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench® 工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 • 扩展额定 TJ 至 175°C\n• 最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ(VGS = 10 V、ID = 25 A)\n• 最大值 rDS(on) = 3.2 mΩ(VGS = 8 V、ID = 22 A)\n• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装\n• MSL1 耐用封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准\";

ONSEMI

安森美半导体

FDMS9600S

QFN8

ON

FDN304P

SOT23-3

ON

FDN304P-NL

SOT

FAIRCHILD/仙童

FDN306P

SOT23

FAIRCHILD

仙童半导体

上传:深圳市东来宝电子科技有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    80

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4.5

  • ID Max (A):

    198

  • PD Max (W):

    187

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    2.4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    90

  • Ciss Typ (pF):

    8030

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
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PQFN-8
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更多FDMS86350ET80供应商 更新时间2026-4-17 14:18:00