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FDMC86265P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-2.6A，1.2Ω数据手册ONSEMI规格书
FDMC86265P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产，工艺经过优化，可实现最低通态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 1.2 Ω（需 VGS = -10 V、ID = -1 A）
• 最大 rDS(on) = 1.4 Ω（需 VGS = -6 V、ID = -0.9 A）
•中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86265P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-150
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-2.6
- PD Max (W)
：16
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.8
- Ciss Typ (pF)
：158
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
ON/安森美 |
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QFN |
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FAICHIL |
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QFN |
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询价 | ||
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QFN |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
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ON |
23+ |
QFN |
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ON/安森美 |
2223+ |
Power-33-8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 |
