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FDMA905P中文资料-12V单P沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMA905P

功能描述

-12V单P沟道PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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FDMA905P规格书详情

描述 Description

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它提供了具有低通态电阻的MOSFET。MicroFET 2X2封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能,非常适合线性模式应用。

特性 Features

•VGS = -4.5 V且ID = -10 A时,最大rDS(on) = 16 mΩ
•VGS = -2.5 V且ID = -8.9 A时,最大rDS(on) = 21 mΩ
•VGS = -1.8 V且ID = -4.5 A时,最大rDS(on) = 82 mΩ
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•不含有卤化合物和氧化锑
•符合RoHS标准

应用 Application

• 手机

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA905P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-12

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1

  • ID Max (A)

    :-10

  • PD Max (W)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :21

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :16

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :21

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21

  • Ciss Typ (pF)

    :2559

  • Package Type

    :WDFN-6

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