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SPM6530	文件：3.36615 Mbytes Page：25 Pages	InductorsforPowerCircuitsWoundMetallicMagneticMaterialSPMseries InductorsforPowerCircuitsWoundMetallicMagneticMaterial OverviewoftheSPMSeries FEATURES ○Magneticshieldtypewoundinductorforpowercircuitsusingametallicmagneticmaterial. ○Low-profileproductlineupwithmax.heightsof1.2mm,1.5mm,2.0mmand3.0mmallowingfordifferent	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
SPM6530T	文件：67.02 Kbytes Page：3 Pages	SMDInductors(Coils)ForPowerLine(Wound,MagneticShielded)	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
SRP6530A	文件：523.809 Kbytes Page：5 Pages	SRP6530ASeries??ShieldedPowerInductors	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
STB6530	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STB6530	文件：78.26 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU6530	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU6530	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ6530	文件：115.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ6530	文件：56.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
T6530CP	文件：528.34 Kbytes Page：3 Pages	ACTIVEHIGHPRECISIONAMPLIFIER	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升阳广州金升阳科技有限公司	MORNSUN

详细参数

型号：
FDD6530A_Q
功能描述：
MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDD6530A_Q供应商更新时间2025-5-21 14:50:00

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