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ECH8420-TL-H	文件：325.6 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=5.2mΩ (typ.) • 1.8V drive. • Halogen free compliance. • Protection diode in 文件：325.6 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8501	文件：402.44 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)30V, (-)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Bipolar Transistor (–)30V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A 文件：402.44 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8501	文件：427.81 Kbytes Page：5 Pages	PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE 文件：427.81 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8501-TL-H	文件：402.44 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)30V, (-)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Bipolar Transistor (–)30V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A 文件：402.44 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8501-TL-H	文件：402.44 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??30V, (??30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Bipolar Transistor (–)30V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A 文件：402.44 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8502	文件：405.03 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Bipolar Transistor (–)50V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A 文件：405.03 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8502	文件：446.99 Kbytes Page：5 Pages	PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE 文件：446.99 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8502-TL-H	文件：405.03 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Bipolar Transistor (–)50V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A 文件：405.03 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8503	文件：310.01 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor -50V, -5A, Low VCE(sat) PNP Dual ECH8 Bipolar Transistor –50V, –5A, Low VCE(sat) PNP Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Halogen free compliance 文件：310.01 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8503	文件：329.42 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Drive Applications PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Halogen free compliance 文件：329.42 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.135
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
140
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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