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ECH8501	文件：402.44 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)30V, (-)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Bipolar Transistor (–)30V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A 文件：402.44 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8501	文件：427.81 Kbytes Page：5 Pages	PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE 文件：427.81 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8501-TL-H	文件：402.44 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (??30V, (??30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Bipolar Transistor (–)30V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A 文件：402.44 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
ECH8501
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications

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