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ECH8501-TL-H中文资料PDF规格书

ECH8501-TL-H
厂商型号

ECH8501-TL-H

功能描述

Bipolar Transistor (-)30V, (-)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8

文件大小

402.44 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 18:01:00

ECH8501-TL-H规格书详情

Bipolar Transistor

(–)30V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8

Features

• Composite type, facilitating high-density mounting

• Mounting height 0.9mm

• Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A

PNP : VCE(sat)= --0.1V(typ.)@IC= --2.5A

• Halogen free compliance

产品属性

  • 型号:

    ECH8501-TL-H

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT BIP PNP+NPN 5A 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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