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ECH8501-TL-H中文资料PDF规格书
ECH8501-TL-H规格书详情
Bipolar Transistor
(–)30V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8
Features
• Composite type, facilitating high-density mounting
• Mounting height 0.9mm
• Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.075V(typ.)@IC=2.5A
PNP : VCE(sat)= --0.1V(typ.)@IC= --2.5A
• Halogen free compliance
产品属性
- 型号:
ECH8501-TL-H
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT BIP PNP+NPN 5A 30V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
21+ |
25000 |
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ON |
21+ |
NA |
3000 |
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ON/安森美 |
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NA |
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ON/安森美 |
23+ |
NA |
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ON/安森美 |
标准封装 |
58998 |
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ONSEMI |
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ON/安森美 |
23+ |
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原装正品 |
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ON |
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ON/安森美 |
21+ |
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