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ECH8503-TL-H	文件：310.01 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor -50V, -5A, Low VCE(sat) PNP Dual ECH8 Bipolar Transistor –50V, –5A, Low VCE(sat) PNP Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Halogen free compliance 文件：310.01 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8504	文件：298.73 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Drive Applications PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Composite type, facilitating high-density mounting. • Mounting height 0.9mm. • Halogen free compliance. 文件：298.73 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8505	文件：297.6 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Drive Applications PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Composite type, facilitating high-density mounting. • Mounting height 0.9mm. • Halogen free compliance. 文件：297.6 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8601	文件：55.67 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Suitable for lithim-ion battery use. • Drain common specification. • 2.5V drive. 文件：55.67 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8601M	文件：60.96 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • 2.5V drive • Common-drain type • Protection diode in • Built-in gate protection resistor • Best suited for LiB charging and discharging switch • Halogen free compliance 文件：60.96 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8601R	文件：37.97 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Built-in gate protection resistor. • 2.5V drive. • Best suited for LiB charging and discharging Switch. • Common-drain type. 文件：37.97 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8602M	文件：282.9 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET Features • 2.5V drive • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：282.9 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8602M	文件：305.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • 2.5V drive • Common-drain type • Protection diode in • Best suited for LiB charging and discharging switch • Halogen free compliance 文件：305.31 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8602M-TL-H	文件：305.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • 2.5V drive • Common-drain type • Protection diode in • Best suited for LiB charging and discharging switch • Halogen free compliance 文件：305.31 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8603	文件：42.35 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 2.5V drive. 文件：42.35 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.135
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
140
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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