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ECH8604	文件：41.05 Kbytes Page：4 Pages	N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR Features ·LowONresistance. ·Ultrahighspeedswitching. ·2.5Vdrive	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8605	文件：32.39 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8606	文件：31.69 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8607	文件：46.57 Kbytes Page：4 Pages	N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR LoadSwitchingApplications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •2.5Vdrive	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8608	文件：73.96 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING DEVICE [SANYO] N-ChannelandP-ChannelSiliconMOSFETs	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ECH8608	文件：57.09 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •TheECH8608incorporatesanN-channelMOSFETandaP-channelMOSFETthatfeaturelowON-resistanceandultrahigh-speedswitching,therebyenablinghigh-densitymounting. •2.5Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8609	文件：70.29 Kbytes Page：6 Pages	ECH8609 Features •TheECH8609incorporatesanN-channelMOSFETandaP-channelMOSFETthatfeaturelowON-resistanceandhigh-speedswitching,therebyenablinghugh-densitymounting. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8611	文件：42.49 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •1.8Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8612	文件：43.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Features •LowON-resistance. •Bestsuitedforloadswitches. •1.8Vdrive. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8613	文件：41.31 Kbytes Page：4 Pages	High-Speed Switching Applications Features •LowON-resistance. •High-speedswitching. •2.5Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.135
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
140
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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