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ECH8664R	文件：303.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features •LowON-resistance •Built-ingateprotectionresistor •2.5Vdrive •BestsuitedforLiBcharginganddischargingswitch •Common-draintype •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8664R-TL-H	文件：303.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features •LowON-resistance •Built-ingateprotectionresistor •2.5Vdrive •BestsuitedforLiBcharginganddischargingswitch •Common-draintype •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8667	文件：347.35 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features •ON-resistanceRDS(on)1=30mΩ(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8667	文件：314.73 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features •ON-resistanceRDS(on)1=30mΩ(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8667-TL-H	文件：314.73 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features •ON-resistanceRDS(on)1=30mΩ(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8668	文件：374.93 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications N-ChannelandP-ChannelSiliconMOSFETs Features •TheECH8660incorporatesanN-channelMOSFETandaP-channelMOSFETthatfeaturelowON-resistanceandhigh-speedswitching,therebyenablimghigh-densitymounting. •1.8Vdrive. •Halogenfreecompliance.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8668	文件：383.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Complementary Dual Features •TheECH8668incorporatesanN-channelMOSFETandaP-channelMOSFETthatfeaturelowON-resistanceandhigh-speedswitching,therebyenablimghigh-densitymounting •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8668-TL-H	文件：383.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Complementary Dual Features •TheECH8668incorporatesanN-channelMOSFETandaP-channelMOSFETthatfeaturelowON-resistanceandhigh-speedswitching,therebyenablimghigh-densitymounting •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8671	文件：281.68 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •1.8Vdrive •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8671	文件：310.97 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features •1.8Vdrive •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.135
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
140
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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