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ECH8664R	文件：303.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance • Built-in gate protection resistor • 2.5V drive • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：303.26 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8664R-TL-H	文件：303.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance • Built-in gate protection resistor • 2.5V drive • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：303.26 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8667	文件：314.73 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=30mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：314.73 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8667	文件：347.35 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=30mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：347.35 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8667-TL-H	文件：314.73 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=30mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：314.73 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8668	文件：383.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Complementary Dual Features • The ECH8668 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching , thereby enablimg high-density mounting • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：383.53 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8668	文件：374.93 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs Features • The ECH8660 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching , thereby enablimg high-density mounting. • 1.8V drive. • Halogen free compliance. 文件：374.93 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8668-TL-H	文件：383.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Complementary Dual Features • The ECH8668 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching , thereby enablimg high-density mounting • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：383.53 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8671	文件：281.68 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • 1.8V drive • Composite type, facilitating high-density mounting • Halogen free compliance 文件：281.68 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8671	文件：310.97 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 1.8V drive • Composite type, facilitating high-density mounting • Halogen free compliance 文件：310.97 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.135
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
140
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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