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ECH8667	文件：314.73 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=30mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：314.73 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8667	文件：347.35 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=30mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：347.35 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8667	文件：114.77 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：114.77 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8667	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-5.5A，39mΩ ECH8667 is a P-Channel Power MOSFET, -30V, -5.5A, 39mΩ, Dual ECH8 for General-Purpose Switching Device Application. • ON-resistance RDS(on)1 = 30mΩ (typ)\n• Protection diode in;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8667-TL-H	文件：314.73 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=30mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：314.73 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8667_12	文件：114.77 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：114.77 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8667-TL-HX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
-5.5
PD Max (W)：
1.3
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=77
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1=Q2=39
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
13
Ciss Typ (pF)：
600
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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