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ECH8668	文件：383.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Complementary Dual Features • The ECH8668 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching , thereby enablimg high-density mounting • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：383.53 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8668	文件：374.93 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs Features • The ECH8660 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching , thereby enablimg high-density mounting. • 1.8V drive. • Halogen free compliance. 文件：374.93 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8668	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补，双功率 MOSFET 20V ECH8668 is a Power MOSFET that incorporates an N-Channel MOSFET and a P-Channel MOSFET, 20V, 7.5A, 17mOhm, -20V, -5A, 38mOhm. This is a Complementary Dual ECH8 for General-Purpose Switching Device Applications. • Incorporates an N-Channel and P-Channel MOSFET\n• Protection diode in\n• High Speed Switching\n• Enables High-Density Mounting\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8668-TL-H	文件：383.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Complementary Dual Features • The ECH8668 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching , thereby enablimg high-density mounting • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：383.53 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±20
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
7.5
PD Max (W)：
1.3
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
26
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
17
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
13
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
10.8
Ciss Typ (pF)：
1060
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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