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ECH8668-TL-H	文件：383.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Complementary Dual Features • The ECH8668 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and high-speed switching , thereby enablimg high-density mounting • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：383.53 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
ECH8668-TL-H
功能描述：
MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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