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ECH8305	文件：39.18 Kbytes Page：3 Pages	General-Purpose Switching Device Features • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：39.18 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8306	文件：43.12 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Features • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：43.12 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8308	文件：59.69 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Best suited for load switching • Low ON-resistance • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：59.69 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8308	文件：206.06 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –12V, –10A, 12.5mΩ, Single ECH8 Features • Best suited for load switching • Low ON-resistance • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：206.06 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8308-TL-H	文件：206.06 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –12V, –10A, 12.5mΩ, Single ECH8 Features • Best suited for load switching • Low ON-resistance • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：206.06 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8309	文件：308.95 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：308.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8309	文件：278.47 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：278.47 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8309-TL-H	文件：308.95 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：308.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8310	文件：728.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：728.83 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8310	文件：278.7 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：278.7 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.135
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
140
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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更多ECH8供应商更新时间2025-12-10 16:31:00

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