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ECH8309	文件：308.95 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：308.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8309	文件：278.47 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：278.47 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8309	文件：68.83 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：68.83 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8309	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Power MOSFET -12V, -9.5A, 16mΩ ECH8309 is P-Channel Power MOSFET, -12V, -9.5A, 16mΩ, Single ECH8 for General-Purpose Switching Device Application. • 1.8V Drive\n• Protection diode in\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8309-TL-H	文件：308.95 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：308.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8309_10	文件：68.83 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：68.83 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8309_12	文件：113.82 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：113.82 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8309-TL-H	文件：113.82 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：113.82 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-12
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
-9.5
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
26
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
16
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
0.016
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18
Ciss Typ (pF)：
1780
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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