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ECH8310 | P-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：728.83 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
ECH8310 | P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：278.7 Kbytes 页数：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | |
ECH8310 | P 沟道功率 MOSFET，-30 V，-9 A，17mΩ ECH8310 is a P-Channel Power MOSFET, -30V, -9A, 17mΩ, Single ECH8 for General-Purpose Switching Device Application. • 4V drive\n• Protection diode in\n; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
P-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：728.83 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
General-Purpose Switching Device Applications 文件：417.84 Kbytes 页数：7 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | ||
General-Purpose Switching Device Applications 文件：417.84 Kbytes 页数：7 Pages | SANYO 三洋 | SANYO |
技术参数
- Pb-free：
Pb
- Halide free：
H
- Status：
Active
- Channel Polarity：
P-Channel
- Configuration：
Single
- V(BR)DSS Min (V)：
-30
- VGS Max (V)：
20
- VGS(th) Max (V)：
2.6
- ID Max (A)：
-9
- PD Max (W)：
1.5
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
28
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
17
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
28
- Ciss Typ (pF)：
1400
- Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2025+ |
ECH-8 |
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24+/25+ |
3000 |
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NA |
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1830 |
2795 |
全新原装现货 |
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