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ECH8402-TL-E	文件：43.46 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：43.46 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8410	文件：314.05 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance. • 4V drive. • Halogen free compliance. • Protection diode in 文件：314.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8410	文件：292.71 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive. • Halogen free compliance. • Protection diode in 文件：292.71 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8410-TL-H	文件：314.05 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance. • 4V drive. • Halogen free compliance. • Protection diode in 文件：314.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8411	文件：37 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Ultrahigh-speed switching. • 1.8V drive. 文件：37 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8419	文件：313.07 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=13mΩ (typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：313.07 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8419	文件：349.74 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=13mΩ (typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：349.74 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8419-TL-H	文件：313.07 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=13mΩ (typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：313.07 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8420	文件：325.6 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=5.2mΩ (typ.) • 1.8V drive. • Halogen free compliance. • Protection diode in 文件：325.6 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8420	文件：398.05 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=5.2mΩ (typ.) • 1.8V drive. • Halogen free compliance. • Protection diode in 文件：398.05 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.135
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
140
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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