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ECH8411MOS(场效应管)

SANYO/三洋SOT-23-8

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ECH8411

SANYO/三洋SOT-23-8

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ECH8411

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ECH8411

SANYO/三洋SOT-23-8

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ECH8411-TL-E

onsemi(安森美)ECH-8

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ECH8411-TL-E

onsemi(安森美)ECH-8

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ECH8411-TL-E

SANYOMSOP-8

80000

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ECH8411-TL-E

SANYO/三洋NA

9850

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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!

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ECH8411-TL-E

SANYO/三洋N/A

9000

22+

现货,原厂原装假一罚十!

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ECH8411MOS(场效应管)

SANYO/三洋SOT-23-8

720086

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ECH8411-TL-E

SANYO/三洋MSOP-8

30000

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ECH8411-TL-E-SA

ON-安森美车规-晶体管

36218

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ECH8411-TL-E

1983

三年内

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ECH8411MOS(场效应管)

SANYO/三洋SOT-23-8

9000

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ECH8411-TL-E

原装SANYOMSOP-8

8560

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受权代理!全新原装现货特价热卖!

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ECH8411-TL-E

ON/安森美NA

6000

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ECH8411-TL-E-SA

N/A

48000

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ECH8411-TL-E

ONSEMI/安森美NA

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ECH8411-TL-E

SANYO/三洋8-ECH

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芯为深仓现货

深圳市川科科技有限公司

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ECH8411-TL-E

SANYO-三洋车规-元器件

143788

24+25+/26+27+
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ECH8411-TL-E功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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