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ECH8410-TL-H	文件：314.05 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features •LowON-resistance. •4Vdrive. •Halogenfreecompliance. •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8410-TL-H	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Power MOSFET;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8410-TL-H	文件：441.69 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
F8410	文件：101.53 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®NylonCorrugatedConduit/Tubing-HPASSeries	HeycoHeyco. 海科	Heyco
HM8410	文件：1.06461 Mbytes Page：14 Pages	9.5Wanti-cuttopdual-channelclassDaudiopoweramplifier	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMC8410	文件：749.39 Kbytes Page：17 Pages	LowNoiseAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC8410	文件：399.82 Kbytes Page：16 Pages	Lownoisefigure:1.1dBtypical	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC8410CHIPS	文件：399.82 Kbytes Page：16 Pages	Lownoisefigure:1.1dBtypical	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC8410CHIPS-SX	文件：399.82 Kbytes Page：16 Pages	Lownoisefigure:1.1dBtypical	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
IRM-8410	文件：205.03 Kbytes Page：9 Pages	Singleunittypemodule	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight

详细参数

型号：
ECH8410-TL-H
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 12A ECH8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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