Low Noise Amplifier

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Low noise figure: 1.1 dB typical

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GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，0.01 GHz至10 GHz

HMC8410是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3，采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。高达22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT) 使低噪声放大器(LNA)可用作许多ADI公司平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。\n\n HMC8410还具有输入/输出(I/O)，内部匹配50 Ω，非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。\n\n • 低噪声系数：1.1 dB（典型值）\n\n• 高增益：19.5 dB（典型值）;

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0.01 GHz至10 GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

HMC8410CHIPS是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410CHIPS提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3，采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT)使低噪声放大器(LNA)可用作ADI公司许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。\n\n HMC8410CHIPS还具有输入/输出(I/O)，内部匹配50 Ω，非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无 • 低噪声系数：1.1 dB（典型值）\n• 高增益：19.5 dB（典型值）\n• 高输出三阶交调截点(IP3)：33 dBm（典型值）\n• 裸片尺寸：0.95 mm × 0.61 × 0.102 mm;

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GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，0.01 GHz至10 GHz

HMC8410是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3，采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。高达22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT) 使低噪声放大器(LNA)可用作许多ADI公司平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC8410还具有输入/输出(I/O)，内部匹配50 Ω，非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。\nHMC8410采用符合RoHS标 低噪声系数：1.1 dB（典型值）\n高增益：19.5 dB（典型值）\n高输出三阶交调截点(IP3)：33 dBm（典型值）\n6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP封装;

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