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HMC8410LP2FETRRF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC8410LP2FETR |
| 参数属性 | HMC8410LP2FETR 封装/外壳为6-VDFN 裸露焊盘，CSP；包装为托盘；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC AMP RADAR 10MHZ-10GHZ 6LFCSP |
| 功能描述 | Low Noise Amplifier |
| 封装外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘，CSP |
| 文件大小 |
749.39 Kbytes |
| 页面数量 |
17 页 |
| 生产厂商 | Analog Devices |
| 企业简称 |
AD【亚德诺】 |
| 中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-12 20:00:00 |
| 人工找货 | HMC8410LP2FETR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC8410LP2FETR规格书详情
HMC8410LP2FETR属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC8410LP2FETR射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
产品属性
更多- 产品编号：
HMC8410LP2FETR
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
托盘
- 频率：
10MHz ~ 10GHz
- P1dB：
21dBm
- 增益：
19.5dB
- 噪声系数：
1.1dB
- 射频类型：
雷达
- 电压 - 供电：
5V
- 电流 - 供电：
65mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-VDFN 裸露焊盘，CSP
- 供应商器件封装：
6-LFCSP（2x2）
- 描述：
IC AMP RADAR 10MHZ-10GHZ 6LFCSP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
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