HMC8410LP2FE数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

描述 Description

HMC8410是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3，采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。高达22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT) 使低噪声放大器(LNA)可用作许多ADI公司平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC8410还具有输入/输出(I/O)，内部匹配50 Ω，非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。
HMC8410采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、LFCSP封装。
多功能引脚名称可能仅通过相关功能来引用。

特性 Features

低噪声系数：1.1 dB（典型值）
高增益：19.5 dB（典型值）
高输出三阶交调截点(IP3)：33 dBm（典型值）
6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP封装

应用 Application

测试仪器仪表
点对点无线电
点对多点无线电

简介

HMC8410LP2FE属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC8410LP2FE射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。