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HMC816LP4E中文资料SMT GaAs PHEMT DUAL CHANNEL LOW NOISE AMPLIFIER, 230 - 660 MHz数据手册ADI规格书

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厂商型号

HMC816LP4E

参数属性

HMC816LP4E 封装/外壳为24-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 230MHZ-660MHZ 24QFN

功能描述

SMT GaAs PHEMT DUAL CHANNEL LOW NOISE AMPLIFIER, 230 - 660 MHz
IC RF AMP GP 230MHZ-660MHZ 24QFN

封装外壳

24-VFQFN 裸露焊盘

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 18:11:00

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HMC816LP4E规格书详情

简介

HMC816LP4E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC816LP4E射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC816LP4E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    230MHz ~ 660MHz

  • P1dB:

    21dBm

  • 增益:

    22dB

  • 噪声系数:

    0.5dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    3V,5V

  • 电流 - 供电:

    97mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    24-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 230MHZ-660MHZ 24QFN

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