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HMC816LP4E

SMT GaAs PHEMT DUAL CHANNEL LOW NOISE AMPLIFIER, 230 - 660 MHz

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HMC816LP4E

SMT GaAs pHEMT DUAL CHANNEL LOW NOISE AMPLIFIER, 230 - 660 MHz

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HMC816LP4E

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP GP 230MHZ-660MHZ 24QFN

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

HMC816LP4E_10

SMT GaAs pHEMT DUAL CHANNEL LOW NOISE AMPLIFIER, 230 - 660 MHz

Hittite

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HMC816LP4ETR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP GP 230MHZ-660MHZ 24QFN

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

产品属性

  • 产品编号:

    HMC816LP4E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    230MHz ~ 660MHz

  • P1dB:

    21dBm

  • 增益:

    22dB

  • 噪声系数:

    0.5dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    3V,5V

  • 电流 - 供电:

    97mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    24-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 230MHZ-660MHZ 24QFN

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更多HMC816LP4E供应商 更新时间2024-4-28 18:27:00