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HMC816LP4ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC816LP4E |
| 参数属性 | HMC816LP4E 封装/外壳为24-VFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC RF AMP GP 230MHZ-660MHZ 24QFN |
| 功能描述 | SMT GaAs PHEMT DUAL CHANNEL LOW NOISE AMPLIFIER, 230 - 660 MHz |
| 封装外壳 | 24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
452.97 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Hittite Microwave Corporation |
| 企业简称 |
HITTITE |
| 中文名称 | Hittite Microwave Corporation官网 |
| 原厂标识 | HITTITE |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 20:07:00 |
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产品属性
- 产品编号：
HMC816LP4E
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率：
230MHz ~ 660MHz
- P1dB：
21dBm
- 增益：
22dB
- 噪声系数：
0.5dB
- 射频类型：
通用
- 电压 - 供电：
3V，5V
- 电流 - 供电：
97mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
24-QFN（4x4）
- 描述：
IC RF AMP GP 230MHZ-660MHZ 24QFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI |
15+ |
QFN |
1500 |
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22+ |
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