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HMC907 | GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, 0.2 - 22 GHz | Hittite Hittite Microwave Corporation | Hittite | |
HMC907 | Package:模具;包装:卷带(TR) 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP VSAT 200MHZ-22GHZ DIE | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | |
GaAs pHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, 0.2 - 22 GHz | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
GaAs pHEMT MMIC POWER AMPLIFIER | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
GaAs pHEMT MMIC POWER AMPLIFIER | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC MMIC PWR AMP 1/2W 32-QFN | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC MMIC PWR AMP 1/2W 32QFN | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-40V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.5V(Max)@IC=-2A ·ComplementtoKSD1222 APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
PowerAmplifierApplications PowerAmplifierApplications •HighDCCurrentGain •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •Built-inDamperDiodeatE-C •DarlingtonTR •ComplementtoKSD1222 | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
Flexible,lowcostandhighperformance | AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯科技艾讯股份有限公司 | AXIOMTEK |
产品属性
- 产品编号:
HMC907
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装:
卷带(TR)
- 频率:
200MHz ~ 22GHz
- P1dB:
27dBm
- 增益:
14dB
- 噪声系数:
3.5dB
- 射频类型:
VSAT
- 电压 - 供电:
10V
- 电流 - 供电:
350mA
- 测试频率:
8GHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
模具
- 供应商器件封装:
模具
- 描述:
IC RF AMP VSAT 200MHZ-22GHZ DIE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SMD |
1585 |
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原装正品 |
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模具 |
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Die |
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ADI |
21+ |
Die |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
ADI |
21+ |
标准封装 |
500 |
进口原装,订货渠道! |
询价 |
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