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HMC907

GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, 0.2 - 22 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC907

Package:模具;包装:卷带(TR) 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP VSAT 200MHZ-22GHZ DIE

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC907A

GaAs pHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, 0.2 - 22 GHz

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC907APM5E

GaAs pHEMT MMIC POWER AMPLIFIER

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC907APM5ETR

GaAs pHEMT MMIC POWER AMPLIFIER

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC907ALP5E

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC MMIC PWR AMP 1/2W 32-QFN

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC907ALP5ETR

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC MMIC PWR AMP 1/2W 32QFN

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

KSB907

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-40V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.5V(Max)@IC=-2A ·ComplementtoKSD1222 APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

KSB907

PowerAmplifierApplications

PowerAmplifierApplications •HighDCCurrentGain •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •Built-inDamperDiodeatE-C •DarlingtonTR •ComplementtoKSD1222

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

KT-907

Flexible,lowcostandhighperformance

AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd.

艾讯科技艾讯股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    HMC907

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 频率:

    200MHz ~ 22GHz

  • P1dB:

    27dBm

  • 增益:

    14dB

  • 噪声系数:

    3.5dB

  • 射频类型:

    VSAT

  • 电压 - 供电:

    10V

  • 电流 - 供电:

    350mA

  • 测试频率:

    8GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IC RF AMP VSAT 200MHZ-22GHZ DIE

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更多HMC907供应商 更新时间2025-5-15 11:17:00