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HMC903	文件：991.81 Kbytes Page：6 Pages	GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 18 GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC903	文件：214 Kbytes Page：13 Pages	Low Noise Amplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC903	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模具；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP GP 6GHZ-18GHZ DIE	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC903LP3E	文件：1.0972 Mbytes Page：8 Pages	GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 17 GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC903LP3E	文件：281.9 Kbytes Page：13 Pages	MMIC, Low Noise Amplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC903LP3ETR	文件：281.9 Kbytes Page：13 Pages	MMIC, Low Noise Amplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC903LP3ETR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-VFQFN 裸露焊盘；包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP GP 6GHZ-17GHZ 16QFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC903-SX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模具；包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP GP 6GHZ-18GHZ DIE	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
K903	文件：1.28977 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
K903-MR	文件：1.28971 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
HMC903
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
频率：
6GHz ~ 18GHz
P1dB：
16dBm
增益：
19dB
噪声系数：
1.6dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
3.5V
电流 - 供电：
90mA
测试频率：
6GHz ~ 18GHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC RF AMP GP 6GHZ-18GHZ DIE

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