Low Noise Amplifier

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亚德诺

GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 18 GHz

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HITTITE

GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 18 GHz

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亚德诺

Package：模具；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 6GHZ-18GHZ DIE

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MMIC, Low Noise Amplifier

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亚德诺

GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 17 GHz

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HITTITE

MMIC, Low Noise Amplifier

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亚德诺

低噪声放大器，采用SMT封装，6 - 18 GHz

HMC903是一款 GaAs MMIC低噪声放大器，工作频率范围为6至18 GHz。 该LNA提供19 dB的小信号增益、1.6 dB的噪声系数、27 dBm的输出IP3，采用+3.5 V电源时功耗仅为90 mA。 16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC903还具有隔直I/O，内部匹配50 Ω，可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 这些数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过直径为0.025 mm (1 mil)、长度为0.31 mm (12 mil)的线焊连接。 • 噪声系数：1.6 dB（典型值）\n\n• 小信号增益：19 dB（典型值）\n\n• 输出P1dB：16 dBm（典型值） \n\n• 单电源电压：3.5 V（典型值，90 mA）\n\n• 输出IP3：27 dBm（典型值）\n\n• 50 Ω匹配输入/输出\n\n• 通过可选偏置控制实现自偏置，在不施加射频(RF)的情况下降低静态漏极控制(IDQ)\n\n• 裸片尺寸：1.33 mm × 1.08 mm × 0.102 mm;

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GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，6 GHz至17 GHz

HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA)，提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信号增益，1.7 dB的噪声系数（在6 GHz至16 GHz频段范围内），25 dBm的输出IP3（全频段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。 \n\n 14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器 • 低噪声系数：1.7 dB（典型值，6 GHz至16 GHz时）\n\n• 高增益：18.5 dB（典型值，6 GHz至16 GHz时）\n\n• 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率：\n14.5 dBm（典型值，6 GHz至16 GHz时）\n\n• 单电源电压：3.5 V（典型值，80 mA）\n\n• 输出三阶交调截点(IP3)：25 dBm（典型值）\n\n• 50 Ω匹配输入/输出\n\n• 具有自偏置，提供可选偏置控制来降低IDQ\n\n• 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装;

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亚德诺

Package：16-VFQFN 裸露焊盘；包装：托盘 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 6GHZ-17GHZ 16QFN

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