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HMC903LP3E

GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 17 GHz

Hittite

HITTITE

HMC903LP3E

MMIC, Low Noise Amplifier

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC903LP3E

包装:托盘 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP GP 6GHZ-17GHZ 16QFN

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC903LP3ETR

MMIC, Low Noise Amplifier

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC903LP3ETR

包装:托盘 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP GP 6GHZ-17GHZ 16QFN

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    HMC903LP3E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • 频率:

    6GHz ~ 17GHz

  • P1dB:

    13dBm

  • 增益:

    18dB

  • 噪声系数:

    2.2dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    3.5V

  • 电流 - 供电:

    110mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 6GHZ-17GHZ 16QFN

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更多HMC903LP3E供应商 更新时间2024-4-29 14:00:00