HMC903LP3E数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

描述 Description

HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA)，提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信号增益，1.7 dB的噪声系数（在6 GHz至16 GHz频段范围内），25 dBm的输出IP3（全频段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。

14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC903LP3E还具有隔直输入和输出，内部匹配至50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和视频卫星(VSAT)应用。

特性 Features

• 低噪声系数：1.7 dB（典型值，6 GHz至16 GHz时）

• 高增益：18.5 dB（典型值，6 GHz至16 GHz时）

• 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率：
14.5 dBm（典型值，6 GHz至16 GHz时）

• 单电源电压：3.5 V（典型值，80 mA）

• 输出三阶交调截点(IP3)：25 dBm（典型值）

• 50 Ω匹配输入/输出

• 具有自偏置，提供可选偏置控制来降低IDQ

• 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装

简介

HMC903LP3E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC903LP3E射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。