HMC902LP3E数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

描述 Description

HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信号增益，1.8 dB的噪声系数，28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。

16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出，内部匹配50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)应用。

特性 Features

• 低噪声系数：1.8 dB（典型值）

• 高增益：19.5 dB

• 高P1dB输出功率：16 dBm（典型值）

• 单电源：3.5 V (80 mA)

• 输出IP3：28 dBm

• 50 Ω匹配输入/输出

• 通过可选偏置控制实现自偏置，以降低静态漏极控制(IDQ)。

• 3 mm × 3 mm、16引脚芯片级(LFCSP)封装：9 mm²

简介

HMC902LP3E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC902LP3E射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。