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HMC994	文件：587.73 Kbytes Page：10 Pages	GaAs pHEMT MMIC 0.5 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 32 GHz	Hittite HITTITE
HMC994	文件：619.91 Kbytes Page：10 Pages	GaAs pHEMT MMIC 0.5 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 30 GHz	Hittite HITTITE
HMC994	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：模具类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-30GHZ DIE	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
HMC994_1110	文件：619.91 Kbytes Page：10 Pages	GaAs pHEMT MMIC 0.5 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 30 GHz	Hittite HITTITE
HMC994A	文件：835.48 Kbytes Page：14 Pages	GaAs pHEMT MMIC 0.5 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 30 GHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
HMC994APM5E	文件：1.36821 Mbytes Page：14 Pages	GaAs pHEMT MMIC POWER AMPLIFIER	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
HMC994ALP5E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC MMIC AMP PHEMT 32SMD	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
HMC994ALP5ETR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC MMIC AMP PHEMT 32SMD	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AN994	文件：565.86 Kbytes Page：25 Pages	L638xEapplicationguide	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BF994	文件：41.82 Kbytes Page：5 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsource andsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •VHFa	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BF994	文件：119.03 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance Applications Input-andmixerstagesespeciallyVHFTV-tuners.	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF994	文件：118.98 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETTetrode(ForVHFapplications,especiallyforinputandmixerstageswithawidetuningrange,e.g.inCATVtuners) ●ForVHFapplications,especiallyforinputandmixerstageswithawidetuningrange,e.g.inCATVtuners	SIEMENS Siemens Ltd
BF994S	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BF994S	文件：118.98 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETTetrode(ForVHFapplications,especiallyforinputandmixerstageswithawidetuningrange,e.g.inCATVtuners) ●ForVHFapplications,especiallyforinputandmixerstageswithawidetuningrange,e.g.inCATVtuners	SIEMENS Siemens Ltd
BF994S	文件：41.82 Kbytes Page：5 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsource andsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •VHFa	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BF994S	文件：119.03 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance Applications Input-andmixerstagesespeciallyVHFTV-tuners.	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF994S	文件：37.91 Kbytes Page：5 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
BF994SA	文件：119.03 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance Applications Input-andmixerstagesespeciallyVHFTV-tuners.	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF994SB	文件：119.03 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance Applications Input-andmixerstagesespeciallyVHFTV-tuners.	VishayVishay Siliconix 威世科技
CMX994	文件：2.5692 Mbytes Page：61 Pages	LocalOscillator	CMLMICROCML Microcircuits CML公司

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产品属性

产品编号：
HMC994
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）
频率：
0Hz ~ 30GHz
P1dB：
28dBm
增益：
14dB
噪声系数：
4.5dB
射频类型：
VSAT
电压 - 供电：
10V
电流 - 供电：
250mA
测试频率：
18GHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC RF AMP VSAT 0HZ-30GHZ DIE

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更多HMC994供应商更新时间2024-4-27 16:39:00

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