E-Band Communication Systems

General Description The HmC-AlH509 is a three stage GaAs HemT mmiC low Noise Amplifier (lNA) which operates between 71 and 86 GHz. The HmC-AlH509 features 14 dB of small signal gain, 5 dB of noise figure and an output power of +7 dBm at 1dB compression from a +2V supply voltage. All bond pads and

文件：295.46 Kbytes 页数：6 Pages

AD

亚德诺

GaAs HEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 71 - 86 GHz

General Description The HMC-ALH509 is a three stage GaAs HEMT MMIC Low Noise Amplifi er (LNA) which operates between 71 and 86 GHz. The HMC-ALH509 features 14 dB of small signal gain, 5 dB of noise fi gure and an output power of +7 dBm at 1dB compression from a +2V supply voltage. All bond pads a

文件：192.17 Kbytes 页数：6 Pages

Hittite

GaAs HEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 71 - 86 GHz

文件：192 Kbytes 页数：6 Pages

Hittite

低噪声放大器芯片，71 - 86 GHz

HMC-ALH509是一款三级GaAs HEMT T MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH509具有14 dB小信号增益、5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率（1 dB压缩），采用+2V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 \n\n 应用 \n\n 短程/高容量链路 汽车雷达 E波段通信系统 测试与测量 • 噪声系数： 5 dB \n\n• P1dB： +7 dBm \n\n• 增益： 14 dB \n\n• 电源电压： +2V \n\n• 50 Ω匹配输入/输出 \n\n• 裸片尺寸： 3.20 x 1.60 x 0.1 mm;

ADI

亚德诺

Package：模具；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 71GHZ-86GHZ DIE

AD

亚德诺

GaAs HEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 71 - 86 GHz

文件：192 Kbytes 页数：6 Pages

Hittite

低噪声放大器芯片，71 - 86 GHz

HMC-ALH509是一款三级GaAs HEMT T MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH509具有14 dB小信号增益、5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率（1 dB压缩），采用+2V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 \n\n 应用 \n\n 短程/高容量链路 汽车雷达 E波段通信系统 测试与测量 • 噪声系数： 5 dB \n• P1dB： +7 dBm \n• 增益： 14 dB \n• 电源电压： +2V \n• 50 Ω匹配输入/输出 \n• 裸片尺寸： 3.20 x 1.60 x 0.1 mm ;

ADI

亚德诺

Package：模具；包装：托盘 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP RADAR 71GHZ-86GHZ DIE

AD

亚德诺