HMC8119数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

描述 Description

HMC8119是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上变频器芯片，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和22 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者，输入可通过使用针对单边带应用的外部90混合型器件和两个外部180型器件进行驱动。 所有数据包括中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。

特性 Features

• 转换损耗： 10 dB（典型值）

• 边带抑制： 针对1 dB压缩(P1dB)的典型输入功率：22 dBc 16 dBm（典型值）

• 输入三阶交调截点(IP3)： 24 dBm（典型值）

• 输入二阶交调截点(IP2)： -5 dBm（典型值）

• RFOUT上6倍本振(LO)泄漏： -23 dBm（典型值）

• RF回损： 12 dB（典型值）

• LO回损： 20 dB（典型值）

• 裸片尺寸： 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

简介

HMC8119属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC8119射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。