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HMC8410中文资料GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.01 GHz至10 GHz数据手册ADI规格书

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厂商型号

HMC8410

参数属性

HMC8410 封装/外壳为模具;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP 10MHZ-10GHZ DIE

功能描述

GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.01 GHz至10 GHz
IC RF AMP 10MHZ-10GHZ DIE

封装外壳

模具

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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HMC8410规格书详情

描述 Description

HMC8410是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410提供19.5 dB典型增益、1.1 dB典型噪声系数和33 dBm典型输出IP3,采用5 V电源电压时功耗仅为65 mA。高达22.5 dBm的饱和输出功率(PSAT) 使低噪声放大器(LNA)可用作许多ADI公司平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。

HMC8410还具有输入/输出(I/O),内部匹配50 Ω,非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用。

HMC8410采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、LFCSP封装。

多功能引脚名称可能仅通过相关功能来引用。

特性 Features

• 低噪声系数:1.1 dB(典型值)

• 高增益:19.5 dB(典型值)

应用 Application

• 测试仪器仪表
• 点对点无线电
• 点对多点无线电

简介

HMC8410属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC8410射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC8410CHIPS-SX

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    10MHz ~ 10GHz

  • P1dB:

    21dBm

  • 增益:

    18dB

  • 噪声系数:

    1.1dB

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    65mA

  • 测试频率:

    10GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IC RF AMP 10MHZ-10GHZ DIE

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