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ECH8502	文件：405.03 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Bipolar Transistor (–)50V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A 文件：405.03 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8502	文件：446.99 Kbytes Page：5 Pages	PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A PNP : VCE 文件：446.99 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8502	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，(-)50V，(-)30A，低饱和压，互补双 ECH8502 is a Bipolar Transistor, (-)50V, (-)30A, Low VCE(sat), Complementary Dual for Various Driver and Gate drive applcations. • Composite type, facilitating high-density mounting\n• Low collector-to-emitter saturation voltage\n• Mounting height 0.9mm\n• Halogen free compliance;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8502-TL-H	文件：405.03 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Bipolar Transistor (–)50V, (–)30A, Low VCE(sat) Complementary Dual ECH8 Features • Composite type, facilitating high-density mounting • Mounting height 0.9mm • Low collector-to-emitter saturation voltage NPN : VCE(sat)=0.08V(typ.)@IC=2.5A 文件：405.03 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
Complementary
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.2
IC Cont. (A)：
5
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
290
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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