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ECH8601M-TL-H

N-Channel Power MOSFET

文件:309.2 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ECH8601M-TL-H

General-Purpose Switching Device Applications

文件:399.1 Kbytes 页数:7 Pages

SANYO

三洋

ECH8601M-TL-H

N-Channel Power MOSFET24V, 8A, 23m, Dual ECH8

文件:533.89 Kbytes 页数:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ECH8601R

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Built-in gate protection resistor. • 2.5V drive. • Best suited for LiB charging and discharging Switch. • Common-drain type.

文件:37.97 Kbytes 页数:4 Pages

SANYO

三洋

ECH8601R

General-Purpose Switching Device Applications

文件:192.9 Kbytes 页数:4 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

FDC8601

N-Channel Shielded Gate PowerTrench짰 MOSFET

文件:249.1 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    ECH8601M-TL-H

  • 功能描述:

    MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ECH8601M-TL-H供应商 更新时间2026-2-5 15:28:00