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ECH8310-TL-H	文件：728.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Power MOSFET Features •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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ECH8315	文件：532.21 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtolowonresistance.Thisdevicesissuitableforapplicationswithlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •4Vdrive •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-Free,HalogenF	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8315-TL-H	文件：532.21 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtolowonresistance.Thisdevicesissuitableforapplicationswithlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •4Vdrive •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-Free,HalogenF	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8315-TL-W	文件：532.21 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtolowonresistance.Thisdevicesissuitableforapplicationswithlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •4Vdrive •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-Free,HalogenF	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8320	文件：280.01 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8320	文件：310.04 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features •LowON-resistance •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8320-TL-H	文件：310.04 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features •LowON-resistance •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8401	文件：45.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •2.5Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8402	文件：53.5 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features •LowON-resistance. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.135
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
140
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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