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ECH8310-TL-H	文件：728.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：728.83 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8315	文件：532.21 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to low on resistance. This devices is suitable for applications with low on resistance requirements. Features • Low On-Resistance • 4V drive • ESD Diode-Protected Gate • Pb-Free, Halogen F 文件：532.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8315	文件：279.69 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications P-Channel Silicon MOSFET Features • Low ON-resistance • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：279.69 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8315-TL-H	文件：532.21 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to low on resistance. This devices is suitable for applications with low on resistance requirements. Features • Low On-Resistance • 4V drive • ESD Diode-Protected Gate • Pb-Free, Halogen F 文件：532.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8315-TL-W	文件：532.21 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to low on resistance. This devices is suitable for applications with low on resistance requirements. Features • Low On-Resistance • 4V drive • ESD Diode-Protected Gate • Pb-Free, Halogen F 文件：532.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8320	文件：310.04 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：310.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8320	文件：280.01 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：280.01 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8320-TL-H	文件：310.04 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：310.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8401	文件：45.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 2.5V drive. 文件：45.44 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8402	文件：53.5 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：53.5 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.135
IC Cont. (A)：
12
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
140
PTM Max (W)：
1.6
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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