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DMN2005K	文件：246.18 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2005K	文件：396.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2005LPK	文件：130.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •ESDProtectedGate •Qual	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2005LPK	文件：209.63 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2005UFG	文件：518.289 Kbytes Page：7 Pages	QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2005UFGQ	文件：562.19 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowRDS(ON)—EnsuresOn-StateLossesareMinimized Small-FormFactorThermallyEfficientPackageEnablesHigher DensityEndProducts Occupies33oftheBoardAreaOccupiedbySO-8Enabling SmallerEndProduct 100UnclampedInductiveSwitching,TestinProduction— EnsuresMor	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2005UPS	文件：647.42 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2005UFG	文件：392.52 Kbytes Page：7 Pages	20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
E-2005	文件：104.48 Kbytes Page：1 Pages	SERIES2000UPRIGHTCABINETRACK	BUD Bud Industries, Inc.	BUD
EDS-2005-EL	文件：567.86 Kbytes Page：3 Pages	5-portentry-levelunmanagedEthernetswitches	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa

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